特許
J-GLOBAL ID：200903033027524266
パーティクルの検査方法および検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015134
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】成膜工程が進んでいっても、十分な感度を得ることができ、従来検知できなかったパーティクルを検知可能にするパーティクルの検査方法および検査装置を提供する。【構成】ウエハ5にレーザ光を垂直に入射し、その反射光を受光し、パーティクルの有無および個数の計算を行なう第1の工程と、ウエハ5上に透明膜を成膜してレーザ光を45度の入射角で入射して反射光より計算する第2の工程と、ウエハ5に反射膜を成膜してP偏光したレーザ光を俯角20度で入射して反射光より計算する第3の工程と、ウエハ5に金属膜を成膜してS偏光したレーザ光を俯角20度で入射し反射光より計算する第4の工程とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にレーザ光を第1の入射角で入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第1の工程と、前記半導体基板上に透明膜を成膜し、半導体基板にレーザ光を第2の入射角で入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第2の工程と、前記半導体基板上に反射膜を成膜し、P偏光したレーザ光を第3の入射角で前記半導体基板に入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第3の工程と、前記半導体基板上に金属膜を成膜し、S偏光したレーザ光を第4の入射角で前記半導体基板に入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第4の工程とを含むパーティクルの検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 15/14 D
, G01N 21/88 E
