特許

J-GLOBAL ID：200903033028646276

再充電可能な電池素子の保護装置およびこの装置を備えるMOSFETトランジスタ

発明者： ジョセフ ディー.ファーリィー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036875
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340112
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子の特性として、一方向で低い導通抵抗とオフ状態インピーダンスを有しかつ他方向で無限に近いオーム値と定められたオフ状態インピーダンスを与えるようにする。【解決手段】 MOSFET形の電界効果トランジスタにおいて、基体(11)上に、第1の形の、第1の導電率レベルを有するエピタキシャル層(12)を形成し、そのエピタキシャル層に、第2の形の、第2の伝導率レベルを有するゲート領域(14)と、第1の形の、第3の導電率レベルを有するドレイン領域(18)とを形成し、上記ゲート領域(14)に、第1の形の、上記ドレイン領域(18)の導電率レベルと同じ導電率レベルを有するソース領域(16)を形成し、上記ドレイン領域、上記エピタキシャル層およびゲートバッキング領域の路によってダイオード(Dn)が形成され、このダイオードは上記トランジスタがオンの時にソース・ドレイン方向に定められるインピーダンスを有するようにする。

請求項（抜粋）：

MOSFET形の電解効果トランジスタにおいて、基体(11)上に、第1の形の、第1の導電率レベルを有するエピタキシャル層(12)を形成し、そのエピタキシャル層に、第2の形の、第2の伝導率レベルを有するゲート領域(14)と、第1の形の、第3の導電率レベルを有するドレイン領域(18)とを形成し、上記ゲート領域(14)に、第1の形の、上記ドレイン領域(18)の導電率レベルと同じ導電率レベルを有するソース領域(16)を形成し、上記ドレイン領域、上記エピタキシャル層およびゲートバッキング領域の路によってダイオード(Dn)が形成され、このダイオードは上記トランジスタがオンの時にソース・ドレイン方向に定められるインピーダンスを有することを特徴とするMOSFET形の電解効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01M 10/42 ,  H02J 7/10

FI (4件)：

H01L 29/78 301 D ,  H01M 10/42 P ,  H02J 7/10 A ,  H01L 27/08 321 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-257969
  
• 特開平3-257969