特許

J-GLOBAL ID：200903033029392316

光半導体装置

発明者： 大畑 豊治 ,  根本 和彦 ,  小川 正道
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259433
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 正入力及び負入力の両方が可能な光半導体装置を実現する。【構成】 レーザダイオードLDのカソードに、二つのヘテロ接合フォトトランジスタHPT1、HPT2を互いに並列に接続する。ヘテロ接合フォトトランジスタHPT1のベースへの光入力1が正入力、ヘテロ接合フォトトランジスタHPT2のベースへの光入力2が負入力となり、これらの光入力1及び光入力2に応じてレーザダイオードLDから光出力が得られる。具体的な構造例においては、レーザダイオードLD上に光吸収層を介してヘテロ接合フォトトランジスタHPT1、HPT2を積層する。

請求項（抜粋）：

発光素子と、上記発光素子の一方の端子に互いに並列に接続された少なくとも二つのフォトトランジスタとを有する光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/15 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/12 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-240766
  
• 特開昭62-189817
  
• 特開平2-125467
  
• 特開平3-274030