特許

J-GLOBAL ID：200903033031002479

単結晶シリコン育成方法

発明者： 梶田 栄治 ,  宝来 正隆
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-268794
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：

【要約】【目的】 シリコンの融点から1300°Cまでの結晶軸方向の温度勾配G(°C/mm)に対する結晶育成速度V(mm/min )の比V/G(mm2 /°C・min )を高精度に制御し、狙いとする位置にOSFリングを発生させる。【構成】 伝熱計算を用いた炉内全体の温度分布計算によりGを求める。輻射遮断物7または輻射反射物9により融液からの輻射を制御してGを操作する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する際に、伝熱計算を用いた炉内全体の温度分布計算により単結晶内部の温度分布を求め、求めた温度分布を用いて融液からの輻射を遮断および/または反射することにより、単結晶内部の温度分布を操作することを特徴とする単結晶シリコン育成方法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 E ,  H01L 21/208 P