特許
J-GLOBAL ID：200903033031150699
半導体基板の評価方法および評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058024
公開番号（公開出願番号）：特開平10-253546
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板中の欠陥の大きさ、位置、形状および組成などを正確に評価することのできる半導体基板の評価方法および評価装置を提供することを目的とする。【解決手段】 入射光として連続波長を有する白色光を用い、さらに散乱メカニズムとして、まずレーリー散乱を仮定した解析を行う。次に、散乱体が入射光の波長に対して無視できないサイズの場合に、その形状を考慮した解析を行うことにより、その大きさや形状を求める。また、散乱体の屈折率を求めることにより、その組成を推定することができる。さらに、深さがゼロの散乱体のみを測定することにより、表面のパーティクルの評価をすることができる。
請求項（抜粋）：
所定の波長範囲で連続的なスペクトルを有する光を半導体基板の表面に入射光として照射し、前記半導体基板が有する欠陥から散乱された散乱光を捕捉し、前記所定の波長範囲で前記散乱光と前記入射光との強度の比を算出して、前記半導体基板に含まれている前記欠陥の分布を測定する半導体基板の評価方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N 21/88 F
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 N
