トランスコンダクタンス増幅器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282479
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】回路規模の増大や消費電力の増加を抑えながらトランスコンダクタンス値を調整することが可能なトランスコンダクタンス増幅器を提供する。【解決手段】PチャネルMOSトランジスタ101とNチャネルMOSトランジスタ102とから構成されるCMOSインバータの電源端子VDDと接地端子との間に、それぞれPチャネルMOSトランジスタ103及びNチャネルMOSトランジスタ104を接続する。出力端子110に現れる直流バイアス電圧成分を直流バイアス電圧成分抽出部106で抽出し、端子107に供給される基準電圧Vrとの差分を差分増幅部108で増幅してPチャネルMOSトランジスタ103のゲート電圧を制御すると共に、NチャネルMOSトランジスタ104のゲート電圧を端子105から供給される制御電圧Vgで制御することにより、トランスコンダクタンス値を調整する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のPチャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMOSトランジスタより構成されるCMOSインバータと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのソース端子と電源端子との間に接続された第2のPチャネルMOSトランジスタと、前記第1のNチャネルMOSトランジスタのソース端子と接地端子との間に接続された第2のNチャネルMOSトランジスタと、前記CMOSインバータの出力から直流バイアス電圧成分を抽出する直流バイアス電圧成分抽出手段と、前記直流バイアス電圧成分抽出手段により抽出された直流バイアス電圧成分と基準電圧との差分を増幅する差分増幅手段とを備え、前記差分増幅手段の出力を前記第2のPチャネルMOSトランジスタのゲート端子に接続すると共に、前記第2のNチャネルMOSトランジスタのゲート端子電圧を任意の電圧により制御するトランスコンダクタンス増幅器。

IPC (1件)：

H03F3/34

FI (1件)：

H03F3/34 C

Fターム (16件)：

5J500AA01 , 5J500AC36 , 5J500AC92 , 5J500AC98 , 5J500AF20 , 5J500AH10 , 5J500AH17 , 5J500AH25 , 5J500AK00 , 5J500AK02 , 5J500AK04 , 5J500AK05 , 5J500AM20 , 5J500AM21 , 5J500AT01 , 5J500AT02

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289518 出願人：株式会社沖マイクロデザイン, 沖電気工業株式会社
曲がり樋
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-141452 出願人：積水化学工業株式会社
発振回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-110115 出願人：日本電気株式会社

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