特許

J-GLOBAL ID：200903033033012030

インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッド用モノリシック集積回路

発明者： 室岡 文夫 ,  古川 達生 ,  丸 博之 ,  下田 準二 ,  泉田 昌明 ,  三隅 義範 ,  石永 博之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348483
公開番号（公開出願番号）：特開平6-198885
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：

【要約】【目的】 インクジェット記録ヘッド用集積回路の集積度を高め、基板寸法の増大を防ぐ。【構成】 インクを吐出させるための熱を発生させるための電気熱変換素子と、電気熱変換素子を駆動するためのバイポーラトランジスタと、バイポーラトランジスタの動作を制御するためのCMOSトランジスタとが同一基板上に設けられたモノリシック集積回路である。CMOSトランジスタを構成するNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタがそれぞれP型ウエル拡散層およびN型ウエル拡散層中に形成されている。

請求項（抜粋）：

インクを吐出する吐出口を有する液吐出部と該液吐出部に供給されたインクを吐出する為に利用される熱エネルギーを発生する為の電気熱変換素子と、前記電気熱変換素子を駆動・制御する機能素子が同一基板上に設けられた記録ヘッドにおいて、前記機能素子は前記電気熱変換素子を駆動するNPNバイポーラトランジスタおよび該バイポーラトランジスタの動作を制御するCMOSトランジスタを含み、該CMOSトランジスタを構成するNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタは、それぞれP型半導体基板上に形成されたN- 型エピタキシャル成長層の中に形成されたPウエル拡散層およびNウエル拡散層中に形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。

IPC (2件)：

B41J 2/05 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

B41J 3/04 103 B ,  H01L 27/06 321 J ,  H01L 27/06 321 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-041258
  
• 特開平2-047865
  
• 特開昭60-211867