特許

J-GLOBAL ID：200903033036590085

半導体バンプ電極の試験方法および試験装置

発明者： 渡辺 雄介
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244316
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111417
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】半導体チップを基板等に組み付けることなく、半導体バンプ電極の引張強度試験を可能とする。【構成】半導体バンプ電極21内に挿入されるプローブ14を当該バンプ電極21の金属が溶融する温度まで加熱し、ついで、バンプ電極21の金属が溶融する温度まで加熱されたプローブ14をバンプ電極21内に挿入して、当該バンプ電極21の金属を溶融させ、さらに、溶融されたバンプ電極21の金属をプローブ14とともに冷却して固化させ、その後、バンプ電極21内で固化されたプローブ14をバンプ電極21に対して垂直方向にバンプ電極21が剥離するまで引張するようにする。

請求項（抜粋）：

半導体バンプ電極の引張強度を試験する半導体バンプ電極の試験方法であって、前記半導体バンプ電極内に挿入されるプローブを当該バンプ電極の金属が溶融する温度まで加熱し、前記バンプ電極の金属が溶融する温度まで加熱されたプローブを前記バンプ電極の金属内に挿入して、当該バンプ電極の金属を溶融させ、前記溶融されたバンプ電極の金属を前記プローブとともに冷却して固化させ、前記バンプ電極内で固化された前記プローブを引張し、引張した時の引張力を検出することにより前記バンプ電極の引張強度を試験することを特徴とする半導体バンプ電極の試験方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/66