特許

J-GLOBAL ID：200903033039879000

化合物半導体スイッチ回路装置

発明者： 浅野 哲郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011311
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194413
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】受信側FFTと送信側FETを固定して用いるスイッチMMICでは、それぞれのFETのピンチオフ電圧を異ならせ、送信側および受信側のスイッチング素子として適切な特性に設計すればよい。しかし、HEMTにおいてリセスエッチングの深さ制御が困難であり、ピンチオフ電圧の再現性が悪い問題があった。【解決手段】エッチングストップ用のInGaP層を2層有する基板を使用する。InGaP層とAlGaAs層の選択エッチングを使用することにより、再現性良く2種類のピンチオフ電圧を実現できる。また2種類のHEMTのゲート電極に埋め込みゲート電極構造を採用するが、PtがInGaP層に拡散しないようにコントロールすることで、耐圧を大幅に向上できる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板と、該半導体基板上に積層された、バッファ層、第1電子供給層、チャネル層、第2電子供給層、第1ノンドープ層、第2ノンドープ層、第3ノンドープ層、安定層、キャップ層を含む複数の半導体層と、 前記半導体層に設けられた動作領域と、 前記動作領域上に設けられ、それぞれソース電極およびドレイン電極を有する第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、を具備し、 前記第1スイッチング素子の第1ゲート電極は、前記動作領域の前記第1ノンドープ層の表面に設けられ、 前記第2スイッチング素子の第2ゲート電極は、前記動作領域の前記第3ノンドープ層の表面に設けられて一部が該第3ノンドープ層内に埋め込まれ、 前記第2スイッチング素子は、前記第1スイッチング素子より大きいピンチオフ電圧を有することを特徴とする化合物半導体スイッチ回路装置。

IPC (7件)：

H01L 27/095 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03K 17/693

FI (4件)：

H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/04 F ,  H03K17/693 A

Fターム (51件)：

5F038CA02 ,  5F038CA06 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA01 ,  5F102GA02 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GN06 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5J055AX00 ,  5J055BX04 ,  5J055CX03 ,  5J055CX24 ,  5J055DX12 ,  5J055DX61 ,  5J055DX72 ,  5J055DX73 ,  5J055DX83 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ12 ,  5J055FX05 ,  5J055FX18 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 化合物半導体スイッチ回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-089343   出願人：三洋電機株式会社
• 特公平1-23955号公報