特許

J-GLOBAL ID：200903033041776340

垂直磁気記録媒体

発明者： 大森 広之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109040
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 垂直磁気記録媒体【目的】適当な保磁力を持ち、かつ雑音の発生が少ない下地膜を積層した垂直磁気記録媒体を提供する。【構成】非磁性支持体上に下地膜及び垂直磁化膜を順次積層した垂直磁気記録媒体において、該下地膜がMxLyNzOw(但し、式中MはCo、Fe、Ni、Mnより選ばれた少なくとも1種を表し、LはNb、Zr、Ta、Hf、Y、Mo、W、Cr、Ti、V、La、Sm、Dy、Er、Ho、Pr、Ce、Eu、Tb、Ru、Pt、Ir、Rh、Cu、Zn、Si、Al、Sn、Ga、Ge、Pd、Ag、In、B、Cの少なくとも1種を表し、Nは窒素、Oは酸素を表し、x、y、z、wはそれぞれ各元素の割合を原子%で示す。)なる一般式で表され、その組成範囲が40 請求項（抜粋）：

非磁性支持体上に下地膜及び垂直磁化膜を順次積層した垂直磁気記録媒体において、該下地膜がMxLyNzOw(但し、式中MはCo、Fe、Ni、Mnより選ばれた少なくとも1種を表し、LはNb、Zr、Ta、Hf、Y、Mo、W、Cr、Ti、V、La、Sm、Dy、Er、Ho、Pr、Ce、Eu、Tb、Ru、Pt、Ir、Rh、Cu、Zn、Si、Al、Sn、Ga、Ge、Pd、Ag、In、B、Cの少なくとも1種を表し、Nは窒素、Oは酸素を表し、x、y、z、wはそれぞれ各元素の割合を原子%で示す。)なる一般式で表され、その組成範囲が40