特許

J-GLOBAL ID：200903033047582769

コンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器

発明者： 松尾 剛秀 ,  紙透 真一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 増田 達哉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351664
公開番号（公開出願番号）：特開2003-153393
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】生産性に優れ、電極間の中空部および多数の音響ホールを容易、確実かつ精度良く形成することができるコンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよびそのコンデンサマイクロホンを有する電子機器を提供する。【解決手段】コンデンサマイクロホン1は、バックプレート基板2とダイヤフラム基板4とを樹脂5で接合したものである。バックプレート基板2は、第1の基板21を有し、第1の基板21には、電極251および複数の音響ホール31が設けられている。この電極251および音響ホール31の設けられている部分がバックプレート20を構成する。ダイヤフラム基板4は、第2の基板41を有し、第2の基板41には、バックプレート20に対して可動の電極451を有するダイヤフラム40が設けられている。第1の基板21の各音響ホール31は、ドライエッチング法、特にDeep RIE(ICP)で形成される。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板に電極を形成するとともに、ドライエッチング法により少なくとも1つの貫通孔を形成して、前記貫通孔および前記電極が設けられたバックプレートを有するバックプレート基板を製造する第1の工程と、第2の半導体基板に、電極を有する可動のダイヤフラムを形成してダイヤフラム基板を製造する第2の工程と、前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサを形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイヤフラム基板とを接合する第3の工程とを有することを特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。

IPC (2件)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00

FI (2件)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00 C

Fターム (4件)：

5D021CC01 ,  5D021CC18 ,  5D021CC19 ,  5D021CC20