特許

J-GLOBAL ID：200903033053459553

金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

発明者： 辰巳 徹 ,  山下 篤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058526
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、配向性、結晶性ともに優れた金属酸化物をプラグ上に低温で形成することを可能にする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法を提供することを目的とし、さらに、この気相成長方法を用いて微細化され、高集積化され、多層メタル化された半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上への有機金属材料ガスを用いた金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、真空容器内に配した基板を加熱しながら、有機金属材料ガスと酸化ガスを別の導入口から真空容器内に導入し、真空容器内の全圧が1×10-2Torr以下で成膜することを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。

請求項（抜粋）：

基板上への有機金属材料ガスを用いた金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、真空容器内に配した基板を加熱しながら、有機金属材料ガスと酸化ガスを別の導入口から真空容器内に導入し、真空容器内の全圧が1×10-2Torr以下で成膜することを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。

IPC (8件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (59件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045BB19 ,  5F045CA05 ,  5F045CB05 ,  5F045CB10 ,  5F045DP04 ,  5F045EB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG04 ,  5F045EG08 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-350167
  
• 表面硬化金属ショットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132311   出願人：株式会社不二機販
• 偏向ヨーク駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227131   出願人：松下電器産業株式会社