特許

J-GLOBAL ID：200903033057622149

スパッタリング装置

発明者： 辻 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237501
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088221
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】磁界と電界との重畳印加によるマグネトロン効果により、被成膜基板と対向して置かれた板状ターゲツトの被成膜基板側にプラズマを環状に形成してターゲツトをスパッタリングするスパッタリング装置において、スパッタリングによるターゲツトの侵食幅が広くなる装置構成を得る。【構成】装置を、スパッタリングガスが導入される真空槽1と、真空槽1の中心軸を同軸に囲む2つの励磁ソレノイド3および4とを用いて構成し、ターゲツト5近傍にカスプ磁界を形成する。

請求項（抜粋）：

スパッタリングガスが導入される真空槽と、真空槽の中心軸を同軸に囲む2つの励磁ソレノイドとを備え、ターゲツト近傍にカスプ磁界を形成することを特徴とするスパッタリング装置。