特許
J-GLOBAL ID：200903033057901544
積層構造体及びそれを用いた化合物半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066769
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266006
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 積層構造体において、緩衝層と、その上面に積層させる立方晶のIII族窒化物半導体層との整合性をほぼ完全なものにできるようにする。【解決手段】 この発明の積層構造体10aは、立方晶の結晶基板1と、この結晶基板1上に形成したリン化硼素ガリウム混晶(B<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P:0≦x≦1)から成る緩衝層21と、緩衝層21上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>z</SB>N<SB>w</SB>M<SB>1-w </SB>層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0<w≦1で記号Mは窒素以外の第V元素を表す。)で表されるIII 族窒化物半導体層3と、を備えて成る。
請求項（抜粋）：
基板上に積層して成る積層構造体において、立方晶の結晶基板と、上記結晶基板上に形成したリン化硼素ガリウム混晶(B<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P:0≦x≦1)から成る緩衝層と、上記緩衝層上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>In<SB>r</SB>N<SB>s</SB>M<SB>1-s </SB>層(0≦p、q、r≦1、p+q+r=1、0<s≦1で記号Mは窒素以外の第V族元素を表す。)で表されるIII 族窒化物半導体層と、を備えたことを特徴とする積層構造体。
IPC (3件)：
H01L 29/20
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 29/20
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
