特許

J-GLOBAL ID：200903033060465100

半導体チップのボンディングパッド保護膜形成方法

発明者： 金 潤 秀
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189469
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316267
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの上面に形成されるボンディングパッドを保護する保護膜を形成させる方法を提供する。【解決手段】 空気中の酸素、または強制に流入されたオゾンを紫外線によって励起酸素に分解しながら、その生成される励起酸素をボンディングパッドの原子イオンと結合させてボンディングパッドの上面に酸化保護膜を形成して腐蝕の発生源からボンディングパッドを遮断し半導体パッケージーの信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体チップのボンディングパッドに保護膜を形成する方法において、ボンディングパッドを有し、該ボンディングパッドを除く全表面にパシベ-ション層が塗布された半導体チップを準備する段階と、前記半導体チップをオゾン雰囲気に露出させながら、前記オゾンを紫外線によって照射して、この紫外線によって励起された酸素が前記ボンディングパッドを成す金属原子と反応して保護膜を形成する段階からなることを特徴とするボンディングパッド保護膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 23/30 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-276736
  
• 特開平1-316945
  
• 特開昭63-216352