特許
J-GLOBAL ID：200903033062462087
半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216090
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体表面もしくは薄膜表面に付着したFe,Na等の無機汚染物質をドライ洗浄する方法に関し、ハロゲン系ドライ洗浄ガスとともに触媒的な機能を有するガスを被洗浄基板に集中的に供給して洗浄性を高める。【構成】 塩素等のハロゲン系ドライ洗浄ガスを用いてシリコン基板の表面もしくはその上に形成された酸化膜等の薄膜の表面に付着した重金属、アルカリ金属等の無機汚染物質をドライ洗浄する際、シリコン基板の露出部にハロゲン系ドライ洗浄ガスを供給してハロゲン化シリコンを生成する。この際、被洗浄シリコン基板とは別のシリコンを含む材料を用いることができる。そしてこの際、シリコンを含む材料の表面の自然酸化膜等の汚染物質を予め除去してハロゲン化シリコンの生成を助ける。また、このハロゲン化シリコンに加えて、Ga,Ge,As等IIIa族、IVa族、Va族元素のハロゲン化物を被洗浄基板に供給して洗浄性を高める。
請求項（抜粋）：
塩素、塩化水素、フッ素、フッ化水素、ホウ素、ホウ化水素等のハロゲン系ドライ洗浄ガスを用いてシリコン基板の表面もしくはその上に形成された酸化膜等の薄膜の表面に付着した重金属、アルカリ金属等の無機汚染物質をドライ洗浄する場合、該シリコン基板の素子を形成しない領域のシリコン面を露出し、該シリコン面に該ハロゲン系ドライ洗浄ガスを供給してハロゲン化シリコンを生成し、該ハロゲン化シリコンを用いて該酸化膜等の薄膜の表面に付着した該無機汚染物質の除去を促進する工程を含むことを特徴とし、さらに該酸化膜等の薄膜の表面はエッチングしないことを特徴とする半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
