特許

J-GLOBAL ID：200903033064452836

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 崇夫 ,  吉松 昌裕 ,  柿原 清貴 ,  大松 将彦
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260495
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 ゲート領域の絶縁性が保たれると共に、層間絶縁層との密着性が良好なスペーサを備える半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 半導体基板1の主表面に、ゲート酸化膜21 と窒化膜41 とに挟まれたゲートポリシリコン層31 からなるゲート領域が形成され、該ゲート領域の側壁に断面L状のスペーサ窒化膜101 ,102 が形成され、そのスペーサ窒化膜101 ,102 の段差部をスペーサ酸化膜111 ,112 で埋めることによって、円弧状のスペーサが形成され、スペーサ酸化膜111 ,112 によってゲート領域とスペーサを覆う層間絶縁層との密着性を高めたものであり、ゲートポリシリコン層31 は、窒化膜で覆われた形状となっており、ゲート領域に隣接して形成される配線層との絶縁性が良好なスペーサを有する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

ゲート領域の側壁にスペーサを有する半導体装置に於いて、前記ゲート領域が少なくともゲートポリシリコン層を挟むゲート酸化膜と耐酸化性膜とからなり、前記ゲート領域の側壁に少なくとも二層以上のスペーサ膜を付設し、前記ゲート領域を覆う層間絶縁層が前記スペーサ膜の同一物質組成面又は二種以上の物質組成面と接触すると共に、前記層間絶縁層と接触する前記スペーサ膜の少なくとも一つが前記層間絶縁層と同一の物質組成又は前記層間絶縁層との親和性膜のスペーサ膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P