特許

J-GLOBAL ID：200903033067110138

配線形成方法及び研磨パッド

発明者： 三沢 信裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319609
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】ダマシン法を用いた配線形成方法及びこれに用いる研磨パッドに関し、低い研磨圧力でも研磨速度が高く被研磨表面の平坦性が良好な配線形成方法及びこれに好適な研磨パッドを提供する。【解決手段】開口部34が形成された絶縁膜36上に配線材料38を堆積し、配線材料38を化学的機械的に除去することにより開口部34内に埋め込まれた配線42を形成する配線形成方法において、配線材料38と化学反応を起こす薬液62を供給しながら、その化学反応を促進する物質22を含んだ研磨パッド20を配線材料38に接触させることにより、配線材料38を平坦に除去する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

開口部が形成された絶縁膜上に配線材料を堆積し、前記配線材料を化学的機械的に除去することにより前記開口部内に埋め込まれた配線を形成する配線形成方法であって、 前記配線材料と化学反応を起こす薬液を供給しながら、前記化学反応を促進する物質を含む研磨パッドを前記配線材料に接触させることにより、前記絶縁膜上の前記配線材料を除去する ことを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205

FI (6件)：

H01L21/304 622X ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622A ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/88 K ,  H01L21/306 M

Fターム (12件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033XX01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-099038   出願人：株式会社東芝