特許
J-GLOBAL ID：200903033071224679
シリコン基板の陽極化成方法及びそれを利用した加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103074
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 設計領域を確実にかつ選択的にポーラス化することが可能であってしかも処理効率のよいシリコン基板の陽極化成方法を提供すること。【解決手段】 この陽極化成方法では、p型シリコンよりもホールの少ないn型シリコンからなるn型シリコン埋込層21を、p型単結晶シリコン基板2とn型シリコン層4との界面付近に形成する。その際、n型シリコン埋込層21はp型不純物を高濃度で含むシリコン拡散層5と部分的に接触させておく。n型シリコン埋込層21の所定領域には開口部21aを形成しておく。その結果、p型単結晶シリコン基板2において開口部21aに対応する領域に直流電流が集中的に流れ、その領域に選択的にポーラス化が進行する。
請求項（抜粋）：
p型単結晶シリコン基板の表面側に積層されたn型シリコン層の所定領域に、p型不純物を高濃度で含むシリコン拡散層を形成し、前記p型単結晶シリコン基板の裏面側に電極層を形成し、ふっ酸溶液中で前記電極層を直流電源の陽極側に接続することにより、前記p型単結晶シリコン基板の裏面側から表面側に向かう方向に直流電流を流してそれと反対方向にポーラス化を選択的に進行させる陽極化成方法において、p型シリコンよりもホールの少ないn型シリコンからなるn型シリコン埋込層を、前記p型単結晶シリコン基板と前記n型シリコン層との界面付近において前記シリコン拡散層と部分的に接触するように形成するとともに、そのn型シリコン埋込層の所定領域に開口部を形成しておくことにより、前記p型単結晶シリコン基板において前記開口部に対応する領域に前記直流電流が集中的に流れるようにしたことを特徴とするシリコン基板の陽極化成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/08
, H01L 21/3063
H01L 29/84 A
, G01P 15/08 Z
, H01L 21/306 L
