窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315814
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 DVD等の記録材料の記録容量の増加を可能とし、さらにピックアップの小型化を可能とするような窒化ガリウム系ハイブリッド素子を提供することである。【解決手段】基板1の同一面上に、n型窒化物半導体層2、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)を含んでなる多重量子井戸構造の活性層3、及びp型窒化物半導体層4を形成してなるリッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子と、n型窒化物半導体層11、i型窒化物半導体層12及びp型窒化物半導体層13を形成してなる信号検出用フォトダイオードとが形成されてなる。

請求項（抜粋）：

基板の同一面上に、少なくともn型窒化物半導体層、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)を含んでなる多重量子井戸構造の活性層、及びp型窒化物半導体層を順に形成してなるリッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子と、少なくともn型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に形成してなる信号検出用フォトダイオードとが形成されてなる窒化ガリウム系ハイブリッド素子。

IPC (7件)：

H01L 31/12 , G11B 7/125 , G11B 7/13 , H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01S 5/343 , H01L 27/14

FI (8件)：

H01L 31/12 B , G11B 7/125 A , G11B 7/125 C , G11B 7/13 , H01L 27/15 D , H01S 5/343 , H01L 31/10 A , H01L 27/14 K

Fターム (52件)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118CA05 , 4M118CB01 , 4M118CB14 , 4M118FC03 , 4M118FC15 , 4M118FC20 , 5D119AA04 , 5D119BA01 , 5D119CA10 , 5D119DA01 , 5D119DA05 , 5D119FA05 , 5D119FA17 , 5D119FA20 , 5D119KA02 , 5D119LB07 , 5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA19 , 5F049NB08 , 5F049QA02 , 5F049RA07 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SS01 , 5F049SS02 , 5F049SS03 , 5F049SS04 , 5F049SS09 , 5F073AA13 , 5F073AA62 , 5F073AA74 , 5F073AB12 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073BA05 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073DA22 , 5F073DA24 , 5F073EA29 , 5F089AB01 , 5F089AB08 , 5F089AC02 , 5F089AC10 , 5F089CA20

引用特許：

審査官引用 (8件)

面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-149115 出願人：ソニー株式会社
化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273392 出願人：株式会社東芝
特開昭60-085579

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