特許

J-GLOBAL ID：200903033077709747

半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ピン ウー ,  ビスワナス ロイ ,  アトパル カマール チャクラバーティ ,  ボラ エム.オーナット ,  ケヴィン シラス ロビンソン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267622
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 低いk誘電材料を用いた方法および光学デバイスを提供すること。【解決手段】 本発明は、半導体デバイス、および半導体デバイスの改良された製造方法を提供する。本発明に係るデバイスは、活性領域(15)を有する半導体基板(10から13)と、基板上に形成された低誘電率絶縁層(19)を有する。他の絶縁層(20)は、イオンビーム補助堆積などの低温堆積によって低誘電率層(19)上に形成される。次に、金属層(21)は、リフトオフ技術を用いて他の絶縁層(20)上に形成され得る。金属層(21)はパターニングされ、ボンドパッド(23)を形成し、ボンドパッド(23)は、活性領域(15)上のエリアからずれ得る。ワイヤボンドは、超音波エネルギーを用いてボンドパッド(23)上に形成され得る。

請求項（抜粋）：

基板内に活性領域(15)を有する半導体基板(10から13)と、前記基板の少なくとも一部に形成された第1の低誘電率絶縁層(19)と、前記第1の低誘電率絶縁層(19)の少なくとも一部に形成された第2の絶縁層(20)と、前記第2の絶縁層(20)上に形成され、前記活性領域(15)と電気的に接触するボンドパッド(23)とを備えた半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 G ,  H01L 31/10 H ,  H01L 21/88 T