特許

J-GLOBAL ID：200903033080012447

レーザアニール装置

発明者： 酒井 峰一 ,  藤井 哲夫
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025315
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226275
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】この発明は、特に周縁部において膜剥がれが生じないようにした、例えばSOI基板の製造工程において多結晶シリコン層をアニールし、単結晶化するレーザアニール装置を提供することである。【構成】アニールすべき試料21はX・Yテーブル22上に設置し、この試料21に対してレーザ光源241 、242 からのレーザビームを、光学系251 、252 、ビーム合成器26、レンズ28を介して集光し照射する。試料21のレーザビームの通路となる上方には、試料21の周縁部を覆う額縁状の減光板30を設置するもので、この減光板30によって、試料の周縁ではエネルギー強度が小さく、中央に向かってエネルギー強度が増大されるエネルギー分布が設定されるようにする。

請求項（抜粋）：

アニールすべき試料が載置されたテーブルと、レーザ電源によって駆動され、アニール用レーザビームを発生するレーザ光源と、このレーザ光源からのレーザビームを、前記テーブル上の試料面に照射する光学装置と、この光学装置から出力される前記レーザビームを、前記テーブル上の試料面に走査するビーム走査手段と、前記テーブル上の試料に対する前記レーザビームの通路部に設定された減光板とを具備し、前記減光板は前記試料の外周縁に沿って設定されるもので、減光量が外周部から内周部に至るにしたがって減少されるように構成したことを特徴とするレーザアニール装置。