特許
J-GLOBAL ID：200903033083819694
半導体装置の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097467
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】半導体素子とボードとの空隙に容易に封止樹脂層を形成することができ、しかもその樹脂封止作業が容易となる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】複数の球状の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1上に、上記接続用電極部2を介して封止用樹脂シート10を載置し、ついで、上記封止用樹脂シート10上の所定位置に、半導体素子3を載置する。その後、上記封止用樹脂シート10を加熱溶融して溶融状態とし、上記半導体素子3と上記配線回路基板1との間の空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。
請求項（抜粋）：
配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記封止樹脂層を、上記配線回路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させてこの固形樹脂を溶融させることにより形成することを特徴とする半導体装置の製法。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, C08L 63/00
, H01L 21/60 311
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/56 E
, C08L 63/00 B
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/30 R
