特許

J-GLOBAL ID：200903033085636880

半導体記憶装置

発明者： 梶谷 一彦 ,  宮沢 英之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270029
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106437
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 ダイナミック型RAM等の製造プロセスを簡素化し、その低コスト化を推進する。【構成】 情報蓄積キャパシタ及びアドレス選択MOSFETを含むダイナミック型メモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイをその基本構成要素とするダイナミック型RAM等において、情報蓄積キャパシタCsの上部電極CsU又は下部電極CsLを、周辺回路に用いられる第1層の金属配線層MW11〜MW12等と同一材料つまり白金Ptでしかも同一工程で同時形成する。これにより、情報蓄積キャパシタCsの電極形成のためのプロセスと周辺回路の金属配線層形成のためのプロセスとを共通化して、ダイナミック型RAM等の製造プロセスを簡素化し、その低コスト化を推進することができる。

請求項（抜粋）：

情報蓄積キャパシタを含むメモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイと、所定の金属配線層を介して結合される素子を含む周辺回路とを具備し、上記情報蓄積キャパシタの少なくとも一方又は他方の電極が上記金属配線層と同一材料でかつ同時に形成されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C