多重量子井戸半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030830
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221395
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】長波長半導体レーザにおいて、キャリアの量子井戸への不均一注入を防止し、量子井戸内の電子の溢れ出しを防止し、かつ、利得不足から生じる閾値の増大、内部ロスから生じる閾値の増大やスロープ効率の低下を抑制する。【構成】 p-InPクラッド層1、n-InPクラッド層6の内側にInGaAsP光導波路層2、3を設け、その間にInGaAsP障壁層4、歪InGaAsP量子井戸層5を設けた半導体レーザにおいて、量子井戸におけるホールの第1量子準位と障壁層の価電子帯のトップとのエネルギー差δEvを160meV以下とし、かつ、量子井戸における電子の第1量子準位と障壁層の伝導帯のボトムとのエネルギー差δEcを30meV以上とし、かつ、量子井戸層への光閉じ込め係数を0.01から0.07の範囲とする。

請求項（抜粋）：

InPを基板として用いる長波長帯の多重量子井戸半導体レーザにおいて、量子井戸におけるホールの第1量子準位と障壁層の価電子帯のトップとのエネルギー差が160meV以下であり、かつ、前記量子井戸における電子の第1量子準位と障壁層の伝導帯のボトムとのエネルギー差が30meV以上であり、かつ、前記量子井戸層への光閉じ込め係数が0.01から0.07の範囲にあることを特徴とする多重量子井戸半導体レーザ。

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