フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128849
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 N相の上限温度を悪化させないか、あるいは上昇させることができ、且つしきい値電圧を低下させる液晶化合物を提供し、これを用いた、広いN相温度範囲と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供する。【解決手段】一般式(I)【化1】(R:C数1〜12のアルキル、C数2〜12のアルケニル、アルコキシルアルキル、L:-CH2CH2-、単結合、n:0、1、環A:トランス-1,4-シクロへキシレン、F原子で置換可能な1,4-フェニレン、X:H原子、F原子)の化合物、その製造方法、これを含有する液晶組成物、これを用いた液晶素子。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜12のアルキル基、又は炭素原子数2〜12のアルケニル基あるいはアルコキシルアルキル基を表し、Lは-CH2CH2-又は単結合を表し、nは0又は1を表し、環Aはトランス-1,4-シクロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよい1,4-フェニレン基を表し、Xは水素原子又はフッ素原子を表す。)で表されるフェニルナフタレン誘導体。

IPC (7件)：

C07C255/50 , B01J 31/24 , C07C253/00 , C07C253/20 , C09K 19/32 , G02F 1/13 500 , C07B 61/00 300

FI (7件)：

C07C255/50 , B01J 31/24 X , C07C253/00 , C07C253/20 , C09K 19/32 , G02F 1/13 500 , C07B 61/00 300

Fターム (37件)：

4H006AA01 , 4H006AB64 , 4H006AC22 , 4H006AC46 , 4H006AC54 , 4H006BA02 , 4H006BA21 , 4H006BA25 , 4H006BA44 , 4H006BA48 , 4H006BB11 , 4H006BB15 , 4H006BB20 , 4H006BB22 , 4H006BB24 , 4H006BB26 , 4H006BE41 , 4H006BE56 , 4H006BE62 , 4H006BJ50 , 4H006BM71 , 4H006FC52 , 4H006FC54 , 4H006FE74 , 4H006QN16 , 4H006TB03 , 4H027BA01 , 4H027BD01 , 4H027BD02 , 4H027BD04 , 4H027BD05 , 4H027BD09 , 4H027CL01 , 4H027CM04 , 4H027DK04 , 4H039CA70 , 4H039CD30

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