特許

J-GLOBAL ID：200903033098740369

異方性導電膜の製造方法

発明者： 別所 久美 ,  佐藤 秀之 ,  佐藤 明生 ,  下村 政嗣 ,  田中 賢 ,  藪 浩
出願人/特許権者： 東海ゴム工業株式会社 ,  国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049833
公開番号（公開出願番号）：特開2006-236786
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】異方性導電膜の膜面方向の絶縁性および/または膜厚方向の導通性を向上させることが可能な異方性導電膜の製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚方向に貫通した多数の孔部を有し、孔部はハニカム状に配列されるとともに孔部の内壁面は外側方向に湾曲されている、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程と、膜を形成する高分子のガラス転移温度近傍まで多孔質膜を加熱する工程と、多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを含んだ異方性導電膜の製造方法とする。多孔質膜の形成には、水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に高分子を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持基板を、高湿度条件下に存在させる手法などを好適に用いる。また、多孔質膜を加熱する工程では、さらに、膜厚方向に多孔質膜を加圧すると良い。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

膜厚方向に貫通した多数の孔部を有し、前記孔部はハニカム状に配列されるとともに前記孔部の内壁面は外側方向に湾曲されている、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程と、 前記高分子のガラス転移温度近傍まで前記多孔質膜を加熱する工程と、 前記多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、 前記多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを 含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01R 43/00 ,  C08J 9/36 ,  C09J 7/02 ,  C09J 201/00 ,  H01B 13/00 ,  H01R 11/01

FI (6件)：

H01R43/00 H ,  C08J9/36 ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01B13/00 501P ,  H01R11/01 501F

Fターム (39件)：

4F074AA74 ,  4F074AA87 ,  4F074AA90 ,  4F074AC05 ,  4F074AG08 ,  4F074CB34 ,  4F074CE02 ,  4F074CE04 ,  4F074CE17 ,  4F074CE58 ,  4F074CE86 ,  4F074DA20 ,  4F074DA47 ,  4F074DA54 ,  4J004AA11 ,  4J004AA13 ,  4J004AA14 ,  4J004AA15 ,  4J004AB04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004CC07 ,  4J004CC08 ,  4J004EA05 ,  4J004FA05 ,  4J040EC001 ,  4J040ED111 ,  4J040EF001 ,  4J040EH031 ,  4J040HC22 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040KA16 ,  4J040LA06 ,  4J040MA10 ,  4J040MB03 ,  4J040PA23 ,  5E051CA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 異方性導電膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-088877   出願人：ザウィタカーコーポレーション
• 特願2004-097384