特許
J-GLOBAL ID:200903033101464521

固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 最上 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-114208
公開番号(公開出願番号):特開平6-302798
出願日: 1993年04月19日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】 P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有する増幅型撮像素子を用いた固体撮像装置において、OB画素部が完全な光遮光特性を保持し、且つOB画素部の出力が受光部の暗出力と正確に一致するようにする。【構成】 P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有するAMIを用いた固体撮像装置において、受光部A及びOB画素部B上に設けた透明絶縁物層101 と、OB画素部B上にのみ設けた金属遮光層102 との間に、透明導電膜103 を、受光部A及びOB画素部Bに亘って一様に設ける。
請求項(抜粋):
P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有する増幅型撮像素子を用いた固体撮像装置において、受光部と金属遮光層の形成されたオプティカルブラック画素部とを有し、該金属遮光層よりも半導体表面側に、もしくは該金属遮光層の直上の光入射方向側に透明な導電膜を、前記受光部及びオプティカルブラック画素部に亘り一様に形成したことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (2件):
H01L 27/14 E ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 光電変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-208804   出願人:キヤノン株式会社

前のページに戻る