特許

J-GLOBAL ID：200903033111347493

半導体製造装置

発明者： 吉田 秀成 ,  谷山 智志 ,  市村 悟
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-273215
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093200
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 高温プロセスで使用される反応管の変形を減少させ、半導体製造装置のランニングコストを低減する。 【解決手段】 基板を収納して処理する縦型の反応管2と、該反応管を収納して加熱する加熱装置とを具備し、前記反応管の肉厚は、側壁下部>天井部>側壁上部となっている。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板を収納して処理する縦型の反応管と、該反応管を収納して加熱する加熱装置とを具備し、前記反応管の肉厚は、側壁下部>天井部>側壁上部となっていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/31 E ,  C23C16/44 B ,  H01L21/22 511Q ,  H01L21/302 101F

Fターム (15件)：

4K030JA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA09 ,  4K030KA22 ,  4K030KA45 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BB16 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC01