特許

J-GLOBAL ID：200903033113708906

半導体メモリ装置

発明者： 森 順二 ,  辰巳 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-269981
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 必要なリフレッシュ対象につき的確にリフレッシュ動作を行える半導体メモリ装置を得る。【解決手段】 メモリ要素4〜7と、前記メモリ要素へ制御信号を入力するための外部信号を受ける制御端子とを備え、前記制御端子による入力信号の組み合わせによって前記メモリ要素4〜7の一部についてリフレッシュ動作を行うためのコマンド信号を生成し、前記コマンド信号により前記メモリ要素のうちリフレッシュ対象としてのメモリ要素4〜7の一部についてリフレッシュ動作を行わせるようにした。

請求項（抜粋）：

メモリ要素と、前記メモリ要素へ制御信号を入力するための外部信号を受ける制御端子とを備え、前記制御端子による入力信号の組み合わせによって前記メモリ要素の一部についてリフレッシュ動作を行うためのコマンド信号を生成し、前記コマンド信号により前記メモリ要素のうちリフレッシュ対象としてのメモリ要素の一部についてリフレッシュ動作を行わせるようにしたことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  G11C 11/403

FI (2件)：

G11C 11/34 363 K ,  G11C 11/34 363 M

Fターム (11件)：

5M024AA90 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024DD85 ,  5M024EE05 ,  5M024EE23 ,  5M024EE30 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10