特許

J-GLOBAL ID：200903033117047831

ガス溶解方法

発明者： 森田 博志
出願人/特許権者： 栗田工業株式会社
代理人 (1件)： 内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-246076
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料などのウェット洗浄に用いられるガス溶解水のガス濃度の制御を、簡便な方法でしかも高い精度で行うことができるガス溶解方法を提供する。【解決手段】所定温度、所定圧力における所望濃度のガス溶解水を得る方法であって、ガスを溶解させる水を、該所望濃度を飽和濃度とする温度又は圧力に調整したのち、該水にガスを供給してガスを飽和濃度まで溶解し、次いで、得られた該調整温度又は該調整圧力におけるガス飽和溶解水を、所定温度又は所定圧力に調整して未飽和溶解水とするガス溶解方法。

請求項（抜粋）：

所定温度、所定圧力における所望濃度のガス溶解水を得る方法であって、ガスを溶解させる水を、該所望濃度を飽和濃度とする温度又は圧力に調整したのち、該水にガスを供給してガスを飽和濃度まで溶解し、次いで、得られた該調整温度又は該調整圧力におけるガス飽和溶解水を、所定温度又は所定圧力に調整して未飽和溶解水とするガス溶解方法。

IPC (3件)：

B01F 1/00 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 648

FI (3件)：

B01F 1/00 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 G

Fターム (3件)：

4G035AA01 ,  4G035AE13 ,  4G035AE19