特許
J-GLOBAL ID：200903033118668104

光起電力装置及びその製造方法

発明者：
角村 泰史

角村 泰史 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 目次 誠 ,  宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100446
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286673
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 結晶系半導体基板を用い、該基板を切断加工して製造される光起電力装置において、変換効率の高い光起電力装置及びその製造方法を得る。 【解決手段】 結晶系半導体基板1の一主面1aの上に、pn接合を形成した光起電力装置20において、一主面1aと他主面1bに挟まれる少なくとも1つの側面10が切断加工面から形成されており、該切断加工面が他主面1b側から一主面1a側に向って延びる、レーザ加工によって形成されたレーザ加工領域11と、一主面1a側から他主面1b側に向って延びる、折曲切断によって形成された折曲切断領域12とから構成されており、レーザ加工領域11と折曲切断領域12との境界線に、一主面1a側に突き出る凸部11aによる凹凸が形成されており、凸部11aの周囲に該凸部11aを起点とする折曲切断の際の放射状の応力集中痕12aが形成されていることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一主面及び該一主面と反対側の他主面を有する結晶系半導体基板の一主面上に、該結晶系半導体基板と逆導電型の半導体膜を設けることにより、pn接合を形成した光起電力装置であって、 前記一主面と前記他主面に挟まれる少なくとも1つの側面が切断加工面から形成されており、該切断加工面が前記他主面側から前記一主面側に向って延びる、レーザ加工によって形成されたレーザ加工領域と、前記一主面側から前記他主面側に向って延びる、折曲切断によって形成された折曲切断領域とから構成されており、 前記レーザ加工領域の一主面側における前記折曲切断領域との境界線に、前記一主面側に突き出る凸部による凹凸が形成されており、前記折曲切断領域における前記凸部の周囲に該凸部を起点とする前記折曲切断の際の応力集中痕が形成されていることを特徴とする光起電力装置。
IPC (4件)：
H01L 31/04 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  H01L 21/301
FI (5件)：
H01L31/04 A ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 T
Fターム (10件)：
4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA15 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12 ,  5F051AA02 ,  5F051DA04 ,  5F051EA16 ,  5F051FA04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 太陽電池の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251769   出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (6件)
  • 光電変換装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167657   出願人：シャープ株式会社
  • 太陽電池セルの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-043018   出願人：シャープ株式会社
  • 特開昭50-010075
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM