特許
J-GLOBAL ID：200903033121476887
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215696
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055167
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】電解メッキによる半導体装置の金属配線形成において、層間接続孔の微細化に伴うメッキ膜の段差被覆性の低下を防ぐ。【構成】層間接続孔104を開口し、スパッタ法を用いてバリヤメタルとしての第1金属膜105および電解メッキの下地としての第2金属膜106を形成した後、プラズマCVD法を用いて絶縁膜107を形成する。層間接続孔側壁部の絶縁膜107a,第2金属膜106および底部の絶縁膜107bを除去し、接続孔底部の第2金属膜106を露出させ、電解メッキ法により層間接続孔のみをメッキ膜で埋設する。【効果】層間接続孔に電解メッキを施し金属配線の被覆性を大幅に向上させることにより、多層配線に於ける接続抵抗を低減でき、接続孔の上下接続の容易な、安定した特性と高い長期信頼性を有する金属配線を形成できる効果を有する。
請求項（抜粋）：
電解メッキにより半導体装置の金属配線を形成する半導体装置の製造方法において、下層に拡散層あるいは配線が存在する層間絶縁膜に層間接続孔を開孔する工程と、前記層間絶縁膜上にバリヤメタルとしての第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜上にメッキ金属の下地としての第2金属膜を形成する工程と、前記第2金属膜上に絶縁膜を形成する工程と、層間接続孔側壁部に存在する前記絶縁膜および前記第2金属膜を除去する工程と、層間接続孔底部に存在する前記絶縁膜を除去する工程と、電解メッキを施し第3金属膜により層間接続孔部分のみを選択的に埋設する工程と、前記絶縁膜を除去する工程と、第2金属膜上に配線形成用マスク膜を形成する工程と、電解メッキを行い第4金属膜により選択的に配線形成する工程と、配線形成用マスク膜を除去する工程と、第1金属膜および第2金属膜の不要部分のみを除去して金属配線を形成する工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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