特許
J-GLOBAL ID:200903033125582479

半導体集積回路装置におけるマクロセルの配置配線方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-173060
公開番号(公開出願番号):特開2001-007210
出願日: 1999年06月18日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 マクロセル431の占めるレイアウト面積が基板コンタクトを埋め込んだ分だけ大きくなり半導体集積回路装置全体の密度が低下していた。【解決手段】 半導体集積回路装置のレイアウト設計において、基板コンタクトを持たないマクロセルを配置する工程1aと、マクロセル間を接続するための金属配線を配線する工程1bと、基板コンタクトセルをマクロセルとは別個に金属配線上に設置する工程11,12とを備えるようにした。
請求項(抜粋):
半導体集積回路装置のレイアウト設計において、基板コンタクトを持たない複数のマクロセルを配置する工程と、上記マクロセル間を接続する金属配線を配線する工程と、上記金属配線上に上記マクロセルとは別個に基板コンタクトセルを設置する工程とを備えた半導体集積回路装置におけるマクロセルの配置配線方法。
FI (2件):
H01L 21/82 C ,  H01L 21/82 W
Fターム (7件):
5F064AA06 ,  5F064DD02 ,  5F064DD04 ,  5F064DD25 ,  5F064EE02 ,  5F064EE27 ,  5F064HH10

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