特許

J-GLOBAL ID：200903033128425102

ホウ素を含んだカーボンナノチューブの製造方法

発明者： 板東 義雄 ,  ウェイチン ハン ,  佐藤 忠夫 ,  倉嶋 敬次
出願人/特許権者： 科学技術庁無機材質研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087754
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281323
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 B-C組成のみからなるホウ素を含んだカーボンナノチューブの大量合成。【解決手段】 カーボンナノチューブを原料とし、これにホウ素酸化物を不活性ガス中で800°C以上から1600°C以下で反応させて式B<SB>x </SB>C<SB>1-x </SB>(x<0.1)で示されるホウ素を含んだカーボンナノチューブを生成させる。

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブを原料とし、これにホウ素酸化物を不活性ガス中で800°C以上から1600°C以下で反応させて式B<SB>x </SB>C<SB>1-x </SB>(x<0.1)で示されるホウ素を含んだカーボンナノチューブを生成させることを特徴とするホウ素を含んだカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 9/02 B

Fターム (1件)：

4G046AB01