特許
J-GLOBAL ID：200903033128611550
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125765
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326750
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】信頼性が高く放熱性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供すること。【構成】ヒートシンク1の表面に封止用樹脂3と密着性の良い樹脂を被覆する。このような構造を採用すると、ヒートシンクと封止用樹脂との間の熱膨張率の差を樹脂被膜2によって吸収し、水分の浸入によるクラックの発生を効果的に防止することが出来る。樹脂被膜は、ポリエーテルアミドイミド、ポリイミド等の熱可塑性樹脂材料を使用することが望ましい。リードフレーム5のアイランド部(タブ部)を省略し、樹脂被膜を形成したヒートシンク1に半導体素子4を直接搭載することも可能である。
請求項（抜粋）：
半導体素子冷却用のヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置において、ヒートシンクの少なくとも封止用樹脂と接触する面に当該樹脂と密着性の良い樹脂被膜を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 23/30 B
, H01L 23/36 A
