特許

J-GLOBAL ID：200903033130277552

エピタキシャルウェハの製造方法

発明者： 大橋 忠 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194296
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェハの面内温度分布に起因するエピタキシャル膜の抵抗値のばらつきを抑制することが可能で、かつパーティクルおよびヘイズの低減が可能なエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 反応容器内にシリコンウェハを配置し、前記反応容器内にシランとボロンまたはリンの化合物からなるドーパントとを含む原料ガスを供給して真空度が10〜200torrの条件にて900〜1100°Cで加熱され、かつ面内温度分布が2〜50°Cのウェハ表面にボロンまたはリンがドープされたシリコンエピタキシャル膜を成長する方法において、前記原料ガスとして、シランとこのシランに対して5〜600体積%添加されたHClとボロンまたはリンの化合物からなるドーパントとを含む組成のものを用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器内にシリコンウェハを配置し、前記反応容器内にシランとボロンまたはリンの化合物からなるドーパントとを含む原料ガスを供給して真空度が10〜200torrの条件にて900〜1100°Cで加熱され、かつ面内温度分布が2〜50°Cのウェハ表面にボロンまたはリンがドープされたシリコンエピタキシャル膜を成長する方法において、前記原料ガスとして、シランとこのシランに対して5〜600体積%添加されたHClとボロンまたはリンの化合物からなるドーパントとを含む組成のものを用いることを特徴とするエピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/06 504 B ,  H01L 21/205