特許

J-GLOBAL ID：200903033133056018

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  大井 明彦 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112107
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】接触抵抗が小さく、素子抵抗の低いIII 族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】SiまたはGeまたはその混晶、GaAsまたはGaP またはその混晶からなる半導体基板1s上にAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x,y ≦1 、 0≦x+y≦1 )膜(2tないし7)が積層されてなるIII 族窒化物半導体素子であって、前記Si基板と前記Alx Gay In1-x-y N との間には結晶構造が螢石型またはCr3Si型であり、高い導電性を有する材料からなる導電性バッファ層Cを介在させる。

請求項（抜粋）：

SiまたはGeまたはその混晶、GaAsまたはGaP またはその混晶からなる半導体基板上にAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x,y ≦1 、 0≦x+y ≦1)膜が積層されてなるIII 族窒化物半導体素子であって、前記半導体基板と前記Alx Gay In1-x-y N 膜との間には結晶構造が螢石型またはCr3Si 型であり、高い導電性を有する材料からなる導電性バッファ層が介在していることを特徴とするIII 族窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C