特許
J-GLOBAL ID：200903033133280040
アクテイブマトリクス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181075
公開番号（公開出願番号）：特開平5-027261
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 多数の薄膜トランジスタと金属配線及び絵素電極層を有するアクティブマトリクス基板に関し、液晶配向層を被覆形成してラビング処理を行なう際の絵素電極層上でのラビング処理の確実性を向上させて表示品質の向上させる。【構成】 薄膜トランジスタと金属配線を形成後、層間絶縁膜を被覆形成し、次いでこの層間絶縁膜の絵素領域上に絵素電極層を形成するに際し、上記層間絶縁膜の形成を特定の手法で行なうことにより、絵素電極層形成面(絵素領域)の表面高さを、他の領域と同等もしくはそれ以上に設定する。
請求項（抜粋）：
基板上に、多数の薄膜トランジスタとこれを駆動する金属配線を形成した後、この形成領域及び絵素領域上に層間絶縁膜を被覆形成し、次いでこの層間絶縁膜の絵素領域上に上記薄膜トランジスタに接続される絵素電極層を形成することからなり、上記層間絶縁膜の形成が、(イ)薄膜トランジスタ及び金属配線形成領域と絵素領域上に絶縁材料を堆積形成した後、この堆積層の絵素領域上をマスクした状態でエッチバックして、薄膜トランジスタ及び金属配線形成領域上では薄く、絵素領域上では厚い第1の層間絶縁膜を形成する工程と、(ロ)上記第1層間絶縁膜上に再び絶縁材料を堆積形成して、少なくとも絵素領域の表面が他の領域と同等又は他の領域よりも高位に位置する第2の層間絶縁膜を形成する工程、により行われることからなるアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, G02F 1/1333 505
