特許

J-GLOBAL ID：200903033146318321

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 大久保 伸洋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036047
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230491
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子の窓構造を無秩序化によって形成する際、空孔原子を与える膜として、意図的に、よりストレスの高い膜を用いることにより、より容易に、高出力時の駆動電流,駆動電圧を低減し、且つ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともガリウムを含む化合物半導体を用いて、基板上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を含む積層構造体からなる半導体レーザ素子を製造する際、レーザ共振器端面となる領域近傍の前記積層構造体の上方に、SixOyNz膜(x,y,zは1以上。以下、同様。)を形成した後、アニールを行って、前記SixOyNz膜下に空孔を生成すると共に、該空孔を前記活性層に達するまで拡散させて、前記レーザ共振器端面となる領域近傍の前記活性層を無秩序化してなる。

請求項（抜粋）：

少なくともガリウムを含む化合物半導体を用いて、基板上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を含む積層構造体からなる半導体レーザ素子を製造する際、レーザ共振器端面となる領域近傍の前記積層構造体の上方に、SixOyNz膜(x,y,zは1以上。以下、同様。)を形成した後、アニールを行って、前記SixOyNz膜下に空孔を生成すると共に、該空孔を前記活性層に達するまで拡散させて、前記レーザ共振器端面となる領域近傍の前記活性層を無秩序化してなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29