位相特性安定化回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096415
公開番号（公開出願番号）：特開平9-284014
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】方向性結合器の位相調整回路を温度変化に対し安定化する。【解決手段】発振器3は可変容量ダイオード1のバイアス電圧を変化させることにより、発振周波数を変化させられるように構成されている。F-V変換回路4は発振器3の発振周波数を電圧に変換し、比較回路5で基準電圧と比較して、電圧制御電圧源6を制御して可変容量ダイオード1のバイアス電源にフィードバックする。従って、可変容量ダイオード1のバイアス電圧は、可変容量ダイオード1を温度補償した電圧になっているはずである。可変容量ダイオード1の温度補償バイアス電圧は、可変容量ダイオード7及び8についても同じなので、これを電圧混合器15を介して可変容量ダイオード7及び8に加えれば、方向性結合器11の位相特性を充分に安定化することができる。

請求項（抜粋）：

一対の結合線路と、この一対の結合線路の終端点間に設けられて位相特性を定める電圧制御型可変容量素子とを含む方向性結合器の位相特性安定化回路であって、前記可変容量素子の温度特性を補償するための補償電圧を生成する補償電圧生成手段を有し、この補償電圧を前記可変容量素子へ供給したことを特徴とする位相特性安定化回路。

IPC (4件)：

H01P 5/18 , H01P 1/18 , H01P 1/30 , H03L 7/06

FI (4件)：

H01P 5/18 Z , H01P 1/18 , H01P 1/30 Z , H03L 7/06 A

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