空冷式半導体ヒートシンク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山谷晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100974
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】放熱効率がよく、部品点数が少なく、組立性がすぐれコストダウンが図る空冷式半導体ヒートシンクを提供すること。【解決手段】このため本発明では、被冷却物である半導体2に接触して半導体2から発熱された熱を吸収する受熱板4と、この受熱板4に固定され放熱部5に熱を移動させるヒートパイプ3と、このヒートパイプ3の放熱部に固定された金属放熱フィンにより構成された半導体ヒートシンクにおいて、前記金属放熱フィン5の形状が管状のヒートパイプ3の軸方向に対して放射状の放熱フィン形状に構成し、この金属放熱フィン5を金型で成形可能に構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被冷却物である半導体に接触して半導体から発熱された熱を吸収する受熱板と、この受熱板に固定され放熱部に熱を移動させるヒートパイプと、このヒートパイプの放熱部に固定された金属放熱フィンにより構成された半導体ヒートシンクにおいて、前記金属放熱フィンの形状が管状のヒートパイプの軸方向に対して放射状の放熱フィン形状に構成し、この金属放熱フィンを金型で成形可能に構成したことを特徴とする空冷式半導体ヒートシンク。

IPC (4件)：

H01L 23/427 , F28D 15/02 , F28D 15/02 102 , H01L 23/36

FI (4件)：

F28D 15/02 L , F28D 15/02 102 C , H01L 23/46 B , H01L 23/36 Z

Fターム (3件)：

5F036AA01 , 5F036BB05 , 5F036BB60

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