特許
J-GLOBAL ID：200903033156489760
セラミックス基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028439
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233902
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 基板表面にメッキ法により微細な導体パターンを形成しても、導体パターン間の絶縁性が良好なセラミックス基板を提供する。【解決手段】 導体パターン間の距離が50μmと微細な導体パターンを形成した場合において、無電解めっき工程において粗化領域内に侵入した導体粒子が例えソフトエッチング工程において導体パターン間の粗化領域内に残存しても、導体パターン20間の粗化領域11に溝部12を形成することにより、導体パターン20間の絶縁性が悪化するのを防止することができる。したがって、基板表面にメッキ法により微細な導体パターンを形成しても、導体パターン間の絶縁性が良好なセラミックス基板を得ることができる。さらに、YAGレーザのレーザ光の照射により溝部12を形成するので、レーザ光のスポット径を絞ることにより、所望の導体パターン間の粗化領域を簡便に、かつ精度よく除去することができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に無電解めっきにより設けられる薄導体層、およびこの薄導体層上に電解めっきにより設けられる厚導体層を有する複数の導体パターンと、前記導体パターンとの界面に形成される粗化領域、および前記導体パターン間の前記粗化領域に形成される溝部を有するセラミックス基板本体と、を備えることを特徴とするセラミックス基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 1/02 C
, H05K 3/00 N
