特許
J-GLOBAL ID：200903033166623392
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 勝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101149
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 熱処理時にリフレクタケ-スの貫通孔内に充填したエポキシ樹脂のクラック発生を防止した半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板2の表面に一対の電極パタ-ン4x、5xを形成し、一方の電極パタ-ン5xの矩形状のパッド部上に半導体発光チップ3を搭載する。半導体発光チップ3は、他方の電極パタ-ン4xと金属線6によりワイヤ-ボンデングされる。中央部に貫通孔を形成しその内表面に金属メッキを施したリフレクタケ-ス10を、液晶ポリマを射出成形することにより基板2上に形成する。リフレクタケ-ス10の貫通孔内にガラス転移温度を60°C以下の低温に設定した透光性のエポキシ樹脂を充填して封止体9を形成する。リフロ-炉による熱処理の際の急激な温度上昇によってもエポキシ樹脂にはクラックが発生しない。
請求項（抜粋）：
一対の電極と、一対の電極に電気的に接続された半導体発光チップと、半導体発光チップの外周を囲む貫通孔を形成したリフレクタケ-スと、貫通孔に透光性のエポキシ樹脂を充填して半導体発光チップを封止する封止体とを備えた半導体発光チップにおいて、前記エポキシ樹脂のガラス転移温度を60°C以下に設定したことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (4件)：
5F041AA44
, 5F041DA07
, 5F041DA44
, 5F041DA55
