特許

J-GLOBAL ID：200903033168161477

半導体基体の製造方法

発明者： 柳田 一隆 ,  坂口 清文
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-035544
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158882
出願日： 2004年02月12日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】半導体基体の製造においてウェハに施す処理を均一化する。【解決手段】第1の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第1の基体と別途用意した第2の基体とを貼り合わせる工程と、貼り合わせてなる基体より第1の基体を除去して第2の基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が表出した第2の基体をエッチング液中に完全に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第2の基体表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記エッチング工程において、第2の基体に作用する超音波の強度を変化させる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

半導体基体の製造方法であって、 第1の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第1の基体と別途用意した第2の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第1の基体を除去して第2の基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第2の基体をエッチング液中に完全に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第2の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、第2の基体に作用する超音波の強度を変化させることを特徴とする半導体基体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L27/12 ,  H01L21/306

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/306 B

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD30 ,  5F043EE40