特許
J-GLOBAL ID：200903033172057560
半導体装置の絶縁膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331690
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181202
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】吸水性が少なく、誘電率が小さく、かつ高い平坦化能力を有する半導体装置の絶縁膜の提供。【構成】分子内にフッ素含有アルキル基を有するアルキルポリシロキサンを含む半導体装置の絶縁膜。
請求項（抜粋）：
単位組成式(a): (R<SP>f </SP>)<SB>x </SB>(CH<SB>3 </SB>)<SB>y </SB>SiO<SB>2-(x+y)/2 </SB>)<SB>n </SB> (a)〔ただし、R<SP>f </SP>はフッ素含有アルキル基であり、nは自然数であり、xは0.1〜1.0の数であり、yは0≦y<4の数であり、かつ0<x+y<4である〕で表されるアルキルポリシロキサンを含む半導体装置の絶縁膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
, H01L 21/90
