特許

J-GLOBAL ID：200903033181438500

半導体デバイスの熱力学的に安定な層

発明者： キ-ブム キム ,  マイケル ダネック ,  マーヴィン リャオ ,  ユージーン ゾウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219704
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135429
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 アニーリングや他の高温処理によって悪影響を受けることのない改良されたコンデンサ及び他の半導体構造体の提供。【解決手段】 二つの電極層及び一つの誘電体層を有するコンデンサのような半導体デバイスにおいて、電極層は、界面が所望の温度範囲において熱力学的に安定となるように選択される。第2の電極層は、導電性の純粋元素又はその窒化物等の化合物からなるものでもよい。同様に、絶縁性であることを要する誘電体層は、元素又はその元素の酸化物のような化合物からなるものでもよい。この元素は、周期律表中の遷移元素から選択することができ、その化合物は電極層及び誘電体層用に選択することができる。その元素は、周期律表の5B族中の金属から選択されることが好ましい。好ましい実施態様では、第1の電極層はポリシリコン、誘電体層は五酸化タンタル、第2の電極層は窒化タンタルである。

請求項（抜粋）：

熱力学的に安定な半導体デバイスを所望の温度で製造する方法であって、(a)前記所望の温度で互いに反応することなくかつ共通の元素を含有する導電層及び絶縁層を選択するステップと、(b)前記絶縁層及び前記導電層を接触させて堆積させるステップと、を備える方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 A