特許
J-GLOBAL ID：200903033183429990
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341745
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204610
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 広い変調帯域で、高効率、かつ平坦なFM変調性と狭い発振スペクトル幅を有する単一軸モード半導体レーザを提供する。【構成】 一定の周期の回折格子8をもつ半導体基板1上に異なる幅のストライプ状の絶縁膜を形成し、その絶縁膜の間の領域にMOVPE成長法により選択的に活性層等の半導体導波路層5を成長する。絶縁膜幅が異なる領域IとIIでは成長層厚と組成が変わり、2つの領域の間に伝搬定数差が生じる伝搬定数差は等価的に回折格子の位相シフトの役割を果たし、位相シフト領域での光強度の集中が緩和され、軸方向ホールバーニング効果が改善される。更に、2つの領域の利得分布の波長依存性が異なるので発振波長を2つの領域の利得の中央にすると高いFM変調効率、広い変調帯域を得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも活性層、回折格子の形成されたガイド層を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、光の共振方向にそって、前記活性層のバンドギャップエネルギーの異なる領域が形成されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (2件)：
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