特許
J-GLOBAL ID：200903033186755511
二次元光位置検出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-403003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013808
出願日： 1990年12月18日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明はスポット光の入射位置を二次元的に検出する二次元光位置検出素子を提供する。【構成】 本発明の二次元光位置検出素子では、第1導電型の低抵抗とされた半導体基板上に高抵抗の光電変換層が形成され、これにより二次元光位置検出素子本体が構成される。そして、光電変換層のスポット光が入射される領域を両側から挟むように一対の位置信号電極が設けられると共に、一対の位置信号電極を互いに電気的に接続する線状の第2導電型の導電層が光電変換層の表面に形成されて半導体光入射位置検出素子が構成される。さらに、導電層を両側から挟むように一対の第2導電型の受光層が光電変換層の表面に形成されて、一対の受光層と半導体基板との間で一対のホトダイオードが構成されている。ここにおいて、受光層は導電層を両側から挟むようにペアで配設されるため、PSDによる検出方向と交叉する方向の光入射位置が、上記のペアのホトダイオードで検出される。このため、基板の片面において、スポット光の入射位置を二次元的に検出できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の第一面の両端に一対の位置信号電極が設けられると共に、前記一対の位置信号電極を互いに電気的に接続する線状の第2導電型の導電層が形成されて半導体光入射位置検出素子が構成され、前記線状の導電層の間に入り組んでこの導電層を両側から挾むように一対の第二導電型の受光層が前記半導体基板の第一面に形成されることによりホトダイオードが構成されていることを特徴とする二次元光位置検出素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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