半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109295
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】電流出力端が定電圧用のダイオードD1との接続節点N1に定電流I1を供給して所定の定電圧2・Vfを発生する定電流源1と、ドレインが内部回路用の降電圧Vintを出力する直列制御出力トランジスタOP1と、定電流源1の内部のMOSトランジスタQP2,QN4および演算増幅器3A,3Bのデータ入力節点N1〜N3にそれぞれ接続されたオン・オフスイッチ用のNチャネルトランジスタQN1〜QN3とを有する電源降圧回路6と、入力ピンTA0からピン信号A0を入力して、3段のCMOSインバータから互いに相反する位相のスイッチ制御信号対GC,RGCを出力するスイッチ制御回路2と、降電圧Vintを回路電源電圧とする周辺回路と、降電圧Vintを受け周辺回路とデータの授受を行うメモリセルアレイとを有する。【効果】メモリセルアレイの動作電流を正確に調べることができるので、半導体メモリ装置の信頼性の評価が容易になる。

請求項（抜粋）：

電源入力端に外部電源の電圧を入力して直列制御出力トランジスタを介して内部回路用の降電圧を出力する電源降圧回路と、前記降電圧の供給を受けて論理動作をする周辺回路およびメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置において、前記メモリセルアレイを除く回路に挿入された複数の電流スイッチトランジスタと、外部からのピン信号を入力して前記電流スイッチトランジスタのゲートにスイッチ制御信号を供給するスイッチ制御信号発生回路とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 301 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-149876
特開平2-021496
特開平3-149876

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